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半導體產業制程技術將邁入3D下

日期:2025-12-16 20:04
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摘要:
半導體產業制程技術將邁入3D下 預估2013年視為3D IC量產元年

時序即將進入2012年,半導體產業技術持續進行變革,其中3D IC便為未來芯片發展趨勢,將促使供應鏈加速投入3D IC研發,其中英特爾 (Intel)在認為制程技術將邁入3D下,勢必激勵其本身的制程**。另外在半導體業者預期3D IC有機會于2013年出現大量生產的情況下,預估2013年也可視為是3D IC量產元年。

  3D IC為未來芯片發展趨勢,其全新架構帶來極大改變,英特爾即認為,制程技術將邁入3D,未來勢必激勵技術**。英特爾實驗室日前便宣布與工研院合作,共同合作開發3D IC架構且具低功耗特性的存儲器技術,此一技術未來將應用在Ultrabook、平板計算機、智能型手機等行動裝置,以及百萬兆級(Exascale)與超大云端資料中心(Cloud Mega-Data Centers)。

  工研院認為,英特爾擁有多項技術**,與工研院3D IC研發基礎相互結合,應可使臺灣產業關鍵自主技術,進一步帶動相關產業鏈發展。

  封測業界認為,近期半導體供應鏈在投入3D IC研發方面有加速的現象,很多廠商都加入研發的供應鏈中,包括晶圓廠、封測廠等,在3D IC的研發費用比2010年增加許多,這對發展3D產業是好事,預測3D IC應可望于2013年出現大量生產的情況,應可視為3D IC的量產元年。

  日月光指出,在邏輯與存儲器芯片接合的接口標準即Wide I/O Memory Bus,已于9月底塵埃落定,加入的半導體成員達上百家,如此將有助于加快廠商開發時程,促使3D IC盡早展開量產。

  力成2011年完成研發中心及業務部門組織的改造,并且于新竹科學園區建立晶圓級封裝、3D IC先進制程及產品研發的實驗工廠,同時也開始興建3D IC先進制程量產工廠。該公司董事長蔡篤恭認為,TSV等3D IC將于2013年量產。

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